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Solid SiC

Massives “Solid SiC”, entwickelt nach unserer einzigartigen Technologie, ist ein sehr reines  SiC, das mittels eines CVD-Prozesses hergestellt wird.

Dieses Material zeigt :

  • Sehr hohe Reinheit
  • Ausgezeichnete chemische Widerstandsfähigkeit
  • Sehr geringe Metalldiffusion
  • keinerlei Ausgasung
  • es weist die theoretische SiC-Dichte auf

Die Anwendungen für dieses Produkt sind:

  • Träger für Halbleiterscheiben
  • Suszeptoren
  • Führungsringe
  • Teile für Ätzverfahren
  • CVD Prozesse

Typische Eigenschaften

Dichte (g/cm³) Spez.elektr. Widerstand (µ?m) Biegefestigkeit (Mpa) Härte (Vickers) Elastizitäts-modul (Gpa) Wärmeleitfähigkeit @RT(W/mK) C.T.E
(RT-1000oC)
(x10-6/K)
3.21 100 590 26 450 250 4.0

 

Analyse typischer Verunreinigungen :

Al Ca Cr Cu Fe K Na Ni Ti V
ppb 20 16 9 13 31 58 3 6 3 <1
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