Massives “Solid SiC”, entwickelt nach unserer einzigartigen Technologie, ist ein sehr reines SiC, das mittels eines CVD-Prozesses hergestellt wird.
Solid SiC
Dieses Material zeigt :
- Sehr hohe Reinheit
- Ausgezeichnete chemische Widerstandsfähigkeit
- Sehr geringe Metalldiffusion
- keinerlei Ausgasung
- es weist die theoretische SiC-Dichte auf
Die Anwendungen für dieses Produkt sind:
- Träger für Halbleiterscheiben
- Suszeptoren
- Führungsringe
- Teile für Ätzverfahren
- CVD Prozesse
Typische Eigenschaften
| Dichte (g/cm³) | Spez.elektr. Widerstand (µ?m) | Biegefestigkeit (Mpa) | Härte (Vickers) | Elastizitäts-modul (Gpa) | Wärmeleitfähigkeit @RT(W/mK) | C.T.E (RT-1000oC) (x10-6/K) |
| 3.21 | 100 | 590 | 26 | 450 | 250 | 4.0 |
Analyse typischer Verunreinigungen :
| Al | Ca | Cr | Cu | Fe | K | Na | Ni | Ti | V | |
| ppb | 20 | 16 | 9 | 13 | 31 | 58 | 3 | 6 | 3 | <1 |
